Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 240 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
171-2421
Herst. Teile-Nr.:
TK31V60W5
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

109mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Höhe

0.85mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Schaltspannungsregler

Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Einfach zu steuerndes Gate-Switching

Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

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