Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 240 W, 5-Pin DFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

12,87 €

(ohne MwSt.)

15,316 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 23. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 86,435 €12,87 €
10 - 985,785 €11,57 €
100 - 4985,27 €10,54 €
500 - 9984,825 €9,65 €
1000 +4,445 €8,89 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2526
Herst. Teile-Nr.:
TK31V60W5
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

109mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.85mm

Länge

8mm

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Schaltspannungsregler

Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Einfach zu steuerndes Gate-Switching

Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Verwandte Links