Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 125-0551
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20N60W5,S1VF(S
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,832 € | 19,16 € |
| 25 - 45 | 3,46 € | 17,30 € |
| 50 - 120 | 3,154 € | 15,77 € |
| 125 - 245 | 3,112 € | 15,56 € |
| 250 + | 3,076 € | 15,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0551
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20N60W5,S1VF(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.02 mm | |
| Länge | 15.94mm | |
| Höhe | 20.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.02 mm | ||
Länge 15.94mm | ||
Höhe 20.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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