Toshiba SSM6K403TU Typ N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 20 V / 4.2 A 500 mW, 6-Pin UF

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Herst. Teile-Nr.:
SSM6K403TU
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

Feldeffekttransistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

SSM6K403TU

Gehäusegröße

UF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

66mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.7mm

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TH
1,5-V-Ansteuerung

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RON = 66 mΩ (max.) (@ VGS = 1,5 V)

RON = 43 mΩ (max.) (@ VGS = 1,8 V)

RON = 32 mΩ (max.) (@ VGS = 2,5 V)

RON = 28 mΩ (max.) (@ VGS = 4,0 V)

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