Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 20 V / 4.2 A 500 mW, 6-Pin UF
- RS Best.-Nr.:
- 171-2490
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6K403TU
- Marke:
- Toshiba
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 4,00 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
7,80 €
(ohne MwSt.)
9,28 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 1.375 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,312 € | 7,80 € | - |
| 100 - 475 | 0,272 € | 6,80 € | 4,00 € |
| 500 - 975 | 0,242 € | 6,05 € | 35,00 € |
| 1000 + | 0,213 € | 5,33 € | 99,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2490
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6K403TU
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | Feldeffekttransistor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UF | |
| Serie | SSM6K403TU | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 66mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 700μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ Feldeffekttransistor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UF | ||
Serie SSM6K403TU | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 66mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 700μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
1,5-V-Ansteuerung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RON = 66 mΩ (max.) (@ VGS = 1,5 V)
RON = 43 mΩ (max.) (@ VGS = 1,8 V)
RON = 32 mΩ (max.) (@ VGS = 2,5 V)
RON = 28 mΩ (max.) (@ VGS = 4,0 V)