Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

2,90 €

(ohne MwSt.)

3,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.100 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 6.200 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 +0,029 €2,90 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2528
Herst. Teile-Nr.:
T2N7002BK
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.39nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

-0.79V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Hochgeschwindigkeitsschalten

ESD-Stufe (HBM) 2 kV

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

Verwandte Links