onsemi NVMFS5C670NL NVMFS5C670NLWFAFT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 171-8388
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS5C670NLWFAFT1G
Marke:: onsemi

onsemi NVMFS5C670NL NVMFS5C670NLWFAFT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN

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Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

1,531 €

(ohne MwSt.)

1,822 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	1,531 €	30,62 €
100 - 240	1,259 €	25,18 €
260 - 480	1,221 €	24,42 €
500 - 980	1,187 €	23,74 €
1000 +	1,15 €	23,00 €

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RS Best.-Nr.:: 171-8388
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS5C670NLWFAFT1G
Marke:: onsemi

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Produktdetails

On Semiconductor

Der on Semiconductor DFN5 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er verfügt über einen Drain-Source-Widerstand von 6,1 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 71 A und eine maximale Verlustleistung von 61 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• KFZ-Leistungs-MOSFET
• Kompakte und effiziente Bauweise
• Hohe Wärmeleistung
• bleifrei (Pb)
• Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Option für benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion erhältlich

Anwendungen

• Kfz
• Lastschalter - ECU, Chassis, Gehäuse
• Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw.
• Netzschalter (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken und mehr)
• Magnetantrieb - ABS, Kraftstoffeinspritzung
• Schaltnetzteile

Zertifizierungen

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	71 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DFN
Serie	NVMFS5C670NL
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	8,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	61 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.1mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.05mm