onsemi NVMFD5C650NL NVMFD5C650NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 111 A 125 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3345
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,816 € | 38,16 € |
| 100 - 240 | 3,113 € | 31,13 € |
| 250 - 490 | 3,031 € | 30,31 € |
| 500 - 990 | 2,953 € | 29,53 € |
| 1000 + | 2,881 € | 28,81 € |
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- 172-3345
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 111 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Serie | NVMFD5C650NL |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,8 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Länge | 6.1mm |
| Breite | 5.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 1.05mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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