onsemi NVMFD5C446NL NVMFD5C446NLT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 145 A 125 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3377
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C446NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
3,202 €
(ohne MwSt.)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,202 € | 32,02 € |
| 100 - 240 | 2,51 € | 25,10 € |
| 250 - 490 | 2,439 € | 24,39 € |
| 500 - 990 | 2,348 € | 23,48 € |
| 1000 + | 2,29 € | 22,90 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3377
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C446NLT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandMinimale Leitungsverluste.Hohe StrombelastbarkeitRobustes LastverhaltenSpannungsüberlastungsschutzAnwendungsbereichTreiber für NiederspannungsseiteTreiber für HochspannungsseiteMotorantriebAutomobil-AntriebsstrangAutomobil-HLK-MotorenABS-Druckpumpen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 145 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Serie | NVMFD5C446NL |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,9 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Breite | 5.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Länge | 6.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 1.05mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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