onsemi FCPF067N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 44 A 46 W, 3-Pin TO-220F

RS Best.-Nr.:: 172-3426
Herst. Teile-Nr.:: FCPF067N65S3
Marke:: onsemi

onsemi FCPF067N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 44 A 46 W, 3-Pin TO-220F

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	44 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220F
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	67 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	46 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	78 nC @ 10 V
Breite	4.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	16.07mm

RS Best.-Nr.:: 172-3426
Herst. Teile-Nr.:: FCPF067N65S3
Marke:: onsemi