onsemi NCP81075 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 4 A, 8-Pin SOIC

Der NCP81075 ist ein leistungsstarker Dual-MOSFET (Hoch- und Niederspannungsseite) Gate-Drive-IC für den Betrieb von MOSFETs bis zu 180 V. Der NCP81075 integriert einen Treiber-IC und eine Bootstrap-Diode und bietet eine Antriebsleistung von bis zu 4 A. Die hochspannungs- und niederspannungsseitigen Antriebe werden unabhängig voneinander mit einer angepassten typischen Laufzeit von 3,5 ns angesteuert. Dieser Antrieb eignet sich ideal für den Einsatz in Hochspannungs-Abwärtsanwendungen, isolierten Stromversorgungen, 2 Schaltern und aktiven Klemmenvorwärtswandlern. die Einheit kann auch in Solar-Optimierer- und Solar-Inverter-Anwendungen eingesetzt werden. Das Bauteil wird in einem SO8-, 8-poligen und 10-poligen DFN-Gehäuse angeboten und ist voll spezifiziert von –40 C bis 140 C.

Steuert zwei N-Kanal MOSFET in Hoch-/NiederspannungsseiteGate-Treiber für die Hochspannungsseite mit integrierter Bootstrap-DiodeBootstrap-Versorgungsspannungsbereich bis 180 V4A Quellen-/Senkenfähigkeit Ausgänge: 4ASteuert 1 nF Last mit typischen Anstiegs- /Abfallzeiten von 8 ns/7 nsGroßer Versorgungsspannungsbereich: 8,5V bis 20 VSchnelle Laufzeitverzögerungen (Typ. 20 ns)2 ns Verzögerungsabgleich (typisch)Unterspannungs-Abschaltung (UVLO) Schutz für AntriebsspannungBetriebsstellentemperaturbereich von -40°C bis 140°CAnwendungsbereichAbwärtswandlerisolierte NetzteileAudioverstärker der Klasse DZwei Schalter und aktiven KlemmenvorwärtswandlernSolar-Optimierer