Microchip VN10K Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 310 mA 1 W, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 177-9716
Distrelec-Artikelnummer:: 304-38-572
Herst. Teile-Nr.:: VN10KN3-G
Marke:: Microchip

Microchip VN10K Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 310 mA 1 W, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:: 177-9716
Distrelec-Artikelnummer:: 304-38-572
Herst. Teile-Nr.:: VN10KN3-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	310mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-92
	Serie	VN10K
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.06 mm
	Länge	5.08mm
	Höhe	5.33mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-92
	Serie VN10K
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.06 mm
	Länge 5.08mm
	Höhe 5.33mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Microchip Technology MOSFET

Der durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellen-Widerstand von 5 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine Drain-Source-Spannung von 60 V und eine maximale Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 310 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) Erweiterungstransistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Einfache Parallelschaltung

• Ausgezeichnete Temperaturstabilität

• frei von sekundärem Ausfall

• Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

• Integrierte Source-Drain-Diode

• Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

• Geringe Anforderungen an das Laufwerk

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen

• Verstärker

• Konverter

• Treiber (Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.)

• Motorsteuerungen

• Stromversorgungskreise

• Schalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC