Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 177-9760
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-G
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,39 € | 9,75 € |
| 100 + | 0,358 € | 8,95 € |
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- 177-9760
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-G
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Der 2N7000 ist ein (normally off) Transistor als Anreicherungstyp, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Serie | 2N7000 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.08mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.06mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.85V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 5.33mm |
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