Vishay IRF830A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0834
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF830APBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
64,80 €
(ohne MwSt.)
77,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 600 Einheit(en) mit Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,296 € | 64,80 € |
| 100 - 200 | 1,231 € | 61,55 € |
| 250 + | 1,166 € | 58,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0834
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF830APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF830A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF830A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF830A von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 500 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5 A – IRF830APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit Durchgangsbohrung, das für Hochspannungsschaltvorgänge in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Handhabung der Drain-to-Source-Spannung und eine moderate Stromkapazität erforderlich ist, und bietet eine kompakte Lösung für die Stromschaltung auf Kühlkörperbaugruppen.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltung in industriellen Schaltkreisen • 5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen konstanten Lastbetrieb • 1,4 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • Maximale Verlustleistung von 74 W für effektives Wärmemanagement • Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten • Die Nennleistung Vgs ±30 V schützt das Gate bei Steuersignal-Exkursionen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends • Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten • Wird für Leistungsumwandlungsmodule verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern • Kann zum Schalten von Relais-Ersatz in Schalttafeln verwendet werden
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Wärmeableitung erforderlich?
Das Gerät wird in einem TO-220AB-Gehäuse für die Durchsteckmontage geliefert und verfügt über einen an der Lasche befestigten Kühlkörper, um eine Nennverlustleistung zu erreichen.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 24 nC unter Nennbedingungen bestimmt die erforderliche Treiberfestigkeit und beeinflusst Schaltverluste und Anstiegs-/Abfallzeiten in Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen industriellen thermischen Umgebungen.
Welcher Schutz sollte bei Überlastungen von Toren und Abläufen in Betracht gezogen werden?
Die Entwickler sollten einen Gate-Schutz aufnehmen, um innerhalb von ±30 V zu bleiben, und Snubbing- oder Klemmenetzwerke implementieren, um Transienten am Drain bei hohen Spannungen zu begrenzen.
Verwandte Links
- Vishay IRF830A Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRF830A Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay IRL Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBC30A Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBC30 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRF9630 Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-220