Vishay IRF830ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 650-4110
Herst. Teile-Nr.:: IRF830ASPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRF830ASPBF N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRF830ASPBF
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,4 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.67mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	24 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm