Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 543-0456
Herst. Teile-Nr.:: IRL640SPBF
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRL640SPBF
Marke:: Vishay

IRL640SPBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	180 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	3,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Breite	9.65mm
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	66 nC @ 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor

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