Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
218-2971
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF5210STRL
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon P-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie. Er wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt. Dieses zellulare Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

P-Kanal-MOSFET

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Verwandte Links