Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 79 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2593
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-418
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,798 € | 15,96 € |
| 100 - 180 | 0,758 € | 15,16 € |
| 200 - 480 | 0,727 € | 14,54 € |
| 500 - 980 | 0,695 € | 13,90 € |
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*Richtpreis
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- 215-2593
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-418
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Leistungspaket, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Vollständig lawinengeprüft
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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