Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 178-0914
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD024PBF
- Marke:
- Vishay
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 178-0914
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD024PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6.29mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6.29mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 3.37mm | ||
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor