Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 200 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
178-1449
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010EPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

130nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.69 mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 84A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF1010EPBF


Dieser MOSFET ist für hohe Leistungen in verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Der niedrige Durchlasswiderstand und die Fähigkeit, hohe kontinuierliche Drain-Ströme zu liefern, machen ihn zu einem wichtigen Bauteil für Ingenieure in Automatisierungs- und Energiemanagementsystemen. Das Gerät eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen und gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb über einen breiten Temperaturbereich.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger RDS(on) trägt zu minimalem Leistungsverlust bei hohen Strömen bei

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 84 A verbessert die Effizienz

• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage

• Schnelle Schaltfunktionen verbessern die Gesamtleistung der Schaltung

• Vollständig lawinengeprüft für zusätzlichen Geräteschutz

Anwendungsbereich


• Stromversorgungsschaltungen für eine effiziente Spannungsregelung

• Motorsteuerungssysteme für präzisen Betrieb

• Treiberschaltungen im Hochstrombereich

• Signalverstärkung in elektronischen Geräten

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für dieses Produkt?


Der Wärmewiderstand zwischen Anschluss und Gehäuse beträgt 0,75°C/W, und der Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Senke auf einer flachen, gefetteten Oberfläche beträgt 0,50°C/W, was eine effiziente Wärmeabfuhr ermöglicht.

Kann es in Umgebungen mit hohen Temperaturen sicher arbeiten?


Ja, es funktioniert effektiv bei Temperaturen bis zu 175 °C und eignet sich daher für Anwendungen, bei denen Hitze ein Problem darstellt.

Welche Art von Strom kann er bei hohen Temperaturen verarbeiten?


Bei einer Gehäusetemperatur von 100 °C kann er einen kontinuierlichen Drain-Strom von 59 A bewältigen, was einen zuverlässigen Betrieb unter Last gewährleistet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf seine Leistung aus?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 130 nC bei 10 V ermöglicht er schnelles Schalten und effizienten Betrieb in dynamischen Anwendungen.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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