Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 13.6 W, 6-Pin SQA403EJ-T1_GE3 SC-70

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RS Best.-Nr.:
178-3897
Herst. Teile-Nr.:
SQA403EJ-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

13.6W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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