Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 150 W, 8-Pin SQM40022EM_GE3 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SQM40022EM_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

11.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

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