Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 150 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 178-3725
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022EM_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3725
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022EM_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 11.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 11.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
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