Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 136 W, 4-Pin SQD40031EL_GE3 TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

12,24 €

(ohne MwSt.)

14,57 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 660 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,224 €12,24 €
100 - 4901,043 €10,43 €
500 - 9900,918 €9,18 €
1000 +0,796 €7,96 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3950
Herst. Teile-Nr.:
SQD40031EL_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

186nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

2.38 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW

Vishay MOSFET


Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 3,2 mohms bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 136 W und einen Dauerstrom von 100 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V und 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

Verwandte Links