onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
178-4439
Herst. Teile-Nr.:
NTTFS6H850NTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NTTFS6H850N

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

3.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

3.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 3x3 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Merkmale

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gateladung

Kleine Abmessungen (3 x 3 mm)

Vorteile

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Schaltverluste

Kompaktes Design

Anwendungen

Batterieverpolungsschutz

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Synchrone Gleichrichtung

Endprodukte

Motorsteuerung

Batteriemanagement

Schaltnetzteile

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