Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
178-5070
Herst. Teile-Nr.:
BSP315PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.97V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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