Infineon OptiMOS™ 5 IPD053N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 178-7370
Herst. Teile-Nr.:: IPD053N06NATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPD053N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 178-7370
Herst. Teile-Nr.:: IPD053N06NATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

IPD053N06N OptiMOS Power-Transistor

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	27 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.41mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V