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    onsemi FDG6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 500 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363

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    RS Best.-Nr.:
    178-7601
    Herst. Teile-Nr.:
    FDG6303N
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.500 mA
    Drain-Source-Spannung max.25 V
    GehäusegrößeSOT-363
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl6
    Drain-Source-Widerstand max.770 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.0.65V
    Verlustleistung max.300 mW
    Transistor-KonfigurationIsoliert
    Gate-Source Spannung max.+8 V
    Länge2mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip2
    Breite1.25mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs1,64 nC @ 5 V
    Höhe1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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