Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT

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RS Best.-Nr.:
180-7724
Herst. Teile-Nr.:
SI8802DB-T2-E1
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET Vishay Siliconix SI8802DB-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 8 V. Es ist die maximale Verlustleistung von 0,9 W und wird hauptsächlich im Lastschalter mit niedrigem Spannungsabfall verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Halogenfrei

Bleifrei

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