Vishay SI8824EDB N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 2.1 A 0.9 W, 4-Pin MICRO FOOT

Dieser n-Kanal-MOSFET ist ein kompakter SMD-Schalttransistor, der für Niederspannungs-Leistungsmanagement und schnelle Schaltvorgänge entwickelt wurde. Er arbeitet in extremen Umgebungsbereichen und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine geringe Grundfläche und eine Gate-Ansteuerung auf Logikpegel erforderlich sind. Das Gerät ist RoHS-konform und wird in einem MICRO FOOT-Gehäuse geliefert, das für Baugruppen mit hoher Dichte geeignet ist.

• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,175 Ω ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2.1 A unterstützt moderate Lastströme
• Gate-Schwellenwert für Vgs-Kompatibilität mit 5-V-Logikpegel
• Typische Gate-Ladung von 2,7 nC für schnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 0,9 W steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Durchlassspannung von 1,2 V hilft bei der Vorhersage von Leitungsabfällen

• Geeignet für batteriebetriebene DC/DC-Wandler in kompakter Bauweise
• Ideal für die Stromverteilung mit hoher Dichte auf SMD-Baugruppen
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die eine Vgs-Schaltung mit 5 V erfordern
• Kann für Niederspannungs-Motortreiber und Lastschalter verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegel-Leistungssteuerung in der Unterhaltungselektronik

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit anspruchsvollen Temperaturen.

Das oberflächenmontierbare MICRO FOOT-Format minimiert den vertikalen und seitlichen Platz und erleichtert so die enge Platzierung von Bauteilen und Baugruppen mit niedrigem Profil.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 20 V, sodass die Systemspannungen unter diesem Schwellenwert gehalten werden müssen.

Mit einer typischen Gate-Ladung von 2,7 nC müssen Gate-Treiber ausreichend Strom für die gewünschten Randraten ohne übermäßige Verluste liefern.