Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 0.77 W, 4-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 735-232
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8916EDB-T6-E1
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.77W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.13mm | |
| Länge | 1.11mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.77W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.13mm | ||
Länge 1.11mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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