Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 21 A 35 W TO-220

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180-7900
Herst. Teile-Nr.:
SIHA22N60E-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.18Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.3 mm

Länge

13.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

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