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- RS Best.-Nr.:
- 180-7905
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7143DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60 V | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60 V | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 10mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 35.7W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Low thermal resistance PowerPAK package with small size and low 1.07mm profile
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Load switches
• Notebook PCs
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