Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 5.2 A TSSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7382
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7382
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Der Zweifach-N-Kanal-MOSFET-Gemeinsamer Ablass von Vishay Semiconductor mit ESD-Schutz und Pb-haltigen Anschlüssen ist nicht RoHS-konform.
TrenchFET-Leistungs-Mosfets
ESD-geschützt 3000 V
Oberflächenmontage auf FR4-Platine
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