Vishay Doppelt SI7216DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 20.8 W, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7922
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7216DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- SI7216DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SI7216DN | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SI7216DN | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4 mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.
Trench FET power MOSFET
Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile
100 % Rg and UIS tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
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