Vishay Doppelt SI7216DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.5 A 20.8 W, 8-Pin PowerPack

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,35 €

(ohne MwSt.)

9,95 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.915 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,67 €8,35 €
50 - 1201,488 €7,44 €
125 - 2451,17 €5,85 €
250 - 4950,97 €4,85 €
500 +0,884 €4,42 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7922
Herst. Teile-Nr.:
SI7216DN-T1-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SI7216DN

Gehäusegröße

PowerPack

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.5nC

Betriebstemperatur min.

-50°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

20.8W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Verwandte Links