Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7886
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3

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Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	SI7956DP
	Gehäusegröße	PowerPack
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-50°C
	Maximale Verlustleistung Pd	3.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.25mm
	Breite	5.26 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.12mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie SI7956DP
	Gehäusegröße PowerPack
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -50°C
	Maximale Verlustleistung Pd 3.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.25mm
	Breite 5.26 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.12mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 150V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 105mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3.5W and continuous drain current of 4.1A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Dual MOSFET for space savings

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Low on-resistance in new low thermal resistance PowerPAK package

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Half bridge and forward converters

• High efficiency primary side switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested