Vishay Doppelt SI7956DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

RS Best.-Nr.:: 180-7324
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt SI7956DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

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RS Best.-Nr.:: 180-7324
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	SI7956DP
	Gehäusegröße	PowerPack
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3.5W
	Betriebstemperatur min.	-50°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Breite	5.26mm
	Höhe	1.12mm
	Länge	6.25mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie SI7956DP
	Gehäusegröße PowerPack
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3.5W
	Betriebstemperatur min. -50°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Breite 5.26mm
	Höhe 1.12mm
	Länge 6.25mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SI7956DP-Serie von Vishay, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 4,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI7956DP-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein Dual-N-Kanal-Transistor in einem oberflächenmontierten PowerPack-Gehäuse, das für Hochspannungs-Schalt- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät für den Einsatz in Bereichen, in denen eine kompakte, auf der Leiterplatte montierte Leistungsschaltung erforderlich ist. Die Komponente unterstützt mäßige Dauerstromstärken und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Widerstandsfähigkeit in einem breiten Umgebungstemperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Maximale Rds(on) von 0,1 Ω reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• 17 nC typische Gate-Ladung liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Verlustleistung von 3,5 W steuert die thermische Belastung in Schaltkreisen
• Der Betriebsbereich von -50 °C bis 150 °C gewährleistet eine hohe Leistung bei extremen Bedingungen

Anwendungen

• Geeignet für Motortreiber-Halbbrückenstufen auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Hochspannungs-Leistungsschaltung in der industriellen Steuerung
• Wird für DC/DC-Wandlerphasen verwendet, die zwei Transistoren erfordern
• Kann für Low-Side-Schaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Einsatz mit Gate-Treibern, bei denen eine moderate Gate-Ladung akzeptabel ist

Welche Anzahl von Pins und welchem Gehäusetyp werden für das Leiterplatten-Layout verwendet?

Er wird in einem 8-poligen PowerPack-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für dichte Leiterplatten-Layouts und die Wärmeleitung durch den Gehäusekörper geeignet ist.

Wie verhält sich das Gerät thermisch unter Last?

Das Gerät hat eine maximale Verlustleistung von 3,5 W und kann bis zu 150 °C betrieben werden. Daher sollte das Wärmemanagement wie Kupferbereich oder Kühlkörper so dimensioniert werden, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen bleiben.

Welche Gate-Spannungsbegrenzungen müssen bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben sollten, um Gerätebeschädigungen zu vermeiden.

Gibt es Einschränkungen bei der Transistorkonfiguration für den Schaltungsbau?

Die Komponente enthält zwei N-Kanal-Transistoren in einer dualen Konfiguration, die je nach Schema komplementäre Schaltanordnungen oder Parallelbetrieb ermöglichen.