Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 50 A 136 W TO-252 SUD50P08-25L-E3

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Herst. Teile-Nr.:
SUD50P08-25L-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0252Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-252-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 25,2 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 136 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• Lastschalter

• Notebook-PCs

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