Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.5 A 1.56 W, 8-Pin SI4896DY-T1-E3 SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-7961
Herst. Teile-Nr.:: SI4896DY-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.5 A 1.56 W, 8-Pin SI4896DY-T1-E3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:: SI4896DY-T1-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	22mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.56W
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.2 mm
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.56W
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.2 mm
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Abflussquellwiderstand von 16,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine Verlustleistung von 1,56 W und einen Dauerstrom von 6,7 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 6 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Adapterschalter

• Lastschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21