Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8299
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF530SPBF
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 10.67mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 10.67mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 160 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 88 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• erhältlich in Band und Rolle
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Einfache Parallelschaltung
• Schnelles Schalten
• Halogenfrei
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Repetitive Lawinenausladung
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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