Vishay Einfach IRF620S Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8843
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-30-843
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620SPBF
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF620S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF620S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRF620S von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,2 A – IRF620SPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in elektronischen und industriellen Systemen entwickelt wurde. Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse für die Montage auf Leiterplattenebene geliefert und eignet sich für Anwendungen, die eine moderate Strombelastbarkeit und einen Betrieb bei erhöhten Temperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 5,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 0,8 Ω Rds(on) bietet vorhersehbare Leitungsverluste für Wärmebudgeting • 14 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine angemessene Schaltgeschwindigkeit und Antriebsdesign • 50 W Verlustleistung unterstützt die thermische Planung für Leistungsstufen • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C verträgt breite Temperaturumgebungen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen • Ideal für Gate-Stufen mit Motorantrieb mit moderatem Strombedarf • Verwendet für DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Kann zum Schalten von Lasten in elektrischen Schalttafeln verwendet werden
Welche Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?
Das TO-263 SMD-Gehäuse erfordert ein Kupferpolster in geeigneter Größe und Wärmeleitungen, um die abgeleitete Leistung zu verteilen und die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.
Für welchen Gate-Drive-Spannungsbereich sollte ich entwerfen?
Die Gate-Source-Spannung muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, sodass Antriebsschaltkreise die angewandte Gate-Amplitude entsprechend begrenzen sollten.
Wie wirkt sich die Robustheit des Geräts auf die Zuverlässigkeit bei erhöhten Temperaturen aus?
Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz in heißen Umgebungen, aber eine kontinuierliche Verlustleistung in der Nähe der 50-W-Grenze erfordert ein effektives thermisches Design der Leiterplatte, um thermische Überbelastungen zu vermeiden.
Gibt es Umweltstandards, die für die Beschaffung relevant sind?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen und entspricht den relevanten Materialspezifikationen für Leiterplattenmontageprozesse.
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