Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8301
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620SPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,345 € | 67,25 € |
| 250 - 450 | 1,264 € | 63,20 € |
| 500 - 1200 | 1,143 € | 57,15 € |
| 1250 - 2450 | 1,076 € | 53,80 € |
| 2500 + | 1,009 € | 50,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8301
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRF620S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263). Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,8 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom 5,2 A.
Oberflächenmontage
Erhältlich auf Band und Rolle
Dynamische dv/dt-Bewertung
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