Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.6 A 42 W, 3-Pin IRFU9220PBF
- RS Best.-Nr.:
- 180-8355
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9220PBF
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU9220PBF
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFU9220 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über das DPAK- (TO-252) und das IPAK- (TO-251) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 1,5 Ohm bei 10 VGS.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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