Vishay SQJ N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 200 V / 95 A 375 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-355
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | SQJ | |
| Gehäusegröße | P | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0143Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie SQJ | ||
Gehäusegröße P | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0143Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet außergewöhnliche Leistung in Automobilanwendungen und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen mit robusten Wärmemanagementfunktionen für Leistung und Lebensdauer.
TrenchFET-Technologie für verbesserte Effizienz
AEC-Q101-qualifiziert für Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie
Das dünne Profil von 1,9 mm ergänzt kompakte Designs
Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V unterstützt Hochleistungs-Schaltkreise