Vishay SQJ P-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus -60 V / -36 A 245 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-353
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ457EP-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Serie | SQJ | |
| Gehäusegröße | P | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.025Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Serie SQJ | ||
Gehäusegröße P | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.025Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet zuverlässige Leistung für Automobilanwendungen und bietet effizientes Schalten und hohe Wärmeleitfähigkeit, um einen robusten Betrieb unter verschiedenen Bedingungen zu gewährleisten.
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
Die TrenchFET-Technologie erhöht die Effizienz und reduziert den Leistungsverlust
Der Widerstand im eingeschalteten Zustand bei einer Gate-Spannung von -10 V beträgt 0,0250 Ohm
Kontinuierlicher Ablassstrom von -36 A für Hochleistungsanwendungen