Vishay SQJ N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 60 V / 100 A 93 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-354
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ766EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
2,40 €
(ohne MwSt.)
2,86 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,40 € |
| 10 - 99 | 1,55 € |
| 100 - 499 | 1,04 € |
| 500 - 999 | 0,89 € |
| 1000 + | 0,82 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-354
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ766EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | P | |
| Serie | SQJ | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0046Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 93W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße P | ||
Serie SQJ | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0046Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 93W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.9mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der leistungsstarke Dual-N-Kanal-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt. Es bietet robuste Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen elektronischen Systemen.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet effiziente Leistung
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
100 % R- und UIS-geprüft auf Zuverlässigkeit
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand reduziert den Energieverlust