Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 600 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-247AC IRFP27N60KPBF

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RS Best.-Nr.:
180-8633
Herst. Teile-Nr.:
IRFP27N60KPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247AC

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.22Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

15.87 mm

Länge

16.25mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-247AC-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 220 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 500 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Verbesserte dV/dt-Fähigkeit der Gehäusediode

• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt

• bleifreie Komponente (Pb)

• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• Stark schaltende und Hochfrequenzschaltungen

• Hochgeschwindigkeitsschalten

• Schaltnetzteil (SMPS)

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

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