onsemi FDP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 222 A 214 W, 3-Pin FDP2D3N10C TO-220

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181-1899
Herst. Teile-Nr.:
FDP2D3N10C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

222A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

FDP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.21mm

Breite

4.67 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Max RDS(on) = 2,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 222 A

Leistungsdichte und geschirmtes Gate

Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)

Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie

Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr

Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike

Niedrige Gate-Ladung, QG = 108 nC (typ.)

Geringe Schaltverluste

Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit

Niedrige Qrr/Trr

Soft-Recovery-Leistung

Gute EMI-Leistung

Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.

Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Micro Solar-Wechselrichter

Server

Telekom

Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)

Motorantrieb

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

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