DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN

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RS Best.-Nr.:
182-7146
Herst. Teile-Nr.:
DMN2450UFB4-7R
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X2-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.35mm

Breite

0.65 mm

Länge

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Abmessung von lediglich 0,6 mm²

- Dreizehn Mal kleiner als SOT23

Profil von 0,4mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Anwendungen

Lastschalter

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