onsemi Doppelt PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.9 A 1.5 W, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ

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Herst. Teile-Nr.:
FDMA2002NZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

268mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.4nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

0.75mm

Breite

2 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Dieses Gerät wurde speziell als Paketlösung für Dual-Switching-Anforderungen in Mobilgeräten und anderen ultraportablen Anwendungen entwickelt. Es verfügt über zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand für minimale Leitungsverluste. Der MicroFET 2x2 bietet aufgrund seiner physikalischen Größe eine außergewöhnliche thermische Leistung und eignet sich hervorragend für lineare Modusanwendungen.

2,9 A, 30 V

RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V

RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.

RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V

Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2x2 mm

HBM ESD-Schutzstufe = 1,8 kV (Hinweis 3)

Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden

Anwendungen

Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet

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