- RS Best.-Nr.:
- 184-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA2002NZ
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,657 €
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0,782 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
20 - 80 | 0,657 € | 13,14 € |
100 - 480 | 0,462 € | 9,24 € |
500 - 980 | 0,406 € | 8,12 € |
1000 - 2980 | 0,349 € | 6,98 € |
3000 + | 0,325 € | 6,50 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 184-5019
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA2002NZ
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Dieses Gerät wurde speziell als Paketlösung für Dual-Switching-Anforderungen in Mobilgeräten und anderen ultraportablen Anwendungen entwickelt. Es verfügt über zwei unabhängige N-Kanal-MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand für minimale Leitungsverluste. Der MicroFET 2x2 bietet aufgrund seiner physikalischen Größe eine außergewöhnliche thermische Leistung und eignet sich hervorragend für lineare Modusanwendungen.
2,9 A, 30 V
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2x2 mm
HBM ESD-Schutzstufe = 1,8 kV (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4,5 V
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2,5 V
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2x2 mm
HBM ESD-Schutzstufe = 1,8 kV (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | WDFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 268 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
Verlustleistung max. | 1,5 W |
Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 2mm |
Breite | 2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,4 nC bei 4,5 V |
Höhe | 0.75mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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