onsemi FDWS86068-F085 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 214 W, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 185-9082
Herst. Teile-Nr.:: FDWS86068-F085
Marke:: onsemi

onsemi FDWS86068-F085 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 214 W, 8-Pin DFN

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 4)

3,155 €

(ohne MwSt.)

3,754 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
4 - 36	3,155 €	12,62 €
40 - 396	2,683 €	10,732 €
400 - 1996	2,158 €	8,632 €
2000 - 3996	1,873 €	7,492 €
4000 +	1,818 €	7,272 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 185-9082
Herst. Teile-Nr.:: FDWS86068-F085
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Datasheet FDWS86068-F085

Rechtliche Anforderungen

Nicht-konform

Ursprungsland:: PH

Produktdetails

N-Kanal PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

Typischer RDS(on) = 5,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 80 A
Typische Qg(tot) = 31 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A
UIS-Funktionen
Diese Geräte sind bleifrei
Benetzbare Flansche für automatische optische Inspektion (AOI)
Anwendungen
Automobil-Motorsteuergeräte
Antriebsstrang-Management
Magnet- und Motortreiber
Elektronische Lenkung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	214 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	31 nC @ 10 V
Länge	5.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Höhe	1.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

onsemi FDWS86068-F085 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 214 W, 8-Pin DFN

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